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TSM4N60CPRO	文件：1.24039 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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TSM4N60CPROG	文件：369.36 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM4N60CZCO	文件：1.2186 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TSM4N60E	文件：1.20259 Mbytes Page：7 Pages	600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM4N60ECPROG	文件：1.20259 Mbytes Page：7 Pages	600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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更多TMD4N60H供應(yīng)商更新時間2025-1-3 13:00:00

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