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TSM4N60CZCO	文件：1.2186 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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WFF4N60	文件：743.23 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:Qg=15nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=4A □RDS(on):2.3?(Max)@VG=10V □100AvalancheTested	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
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更多TSM4N60CZCO供應(yīng)商更新時間2025-1-3 14:30:00

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