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TH58NYG2S3HBAI6 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 Kioxia America Inc.

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  • 廠家型號(hào)：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Kioxia America Inc.

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    63-BGA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-26 9:31:00

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原廠料號(hào)：TH58NYG2S3HBAI6品牌：Kioxia America Inc.

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TH58NYG2S3HBAI6是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商Kioxia America Inc./Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝63-BGA的TH58NYG2S3HBAI6存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Gb（512M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-BGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13530520535

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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