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TGF2023-01

6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

TriQuint

TriQuint Semiconductor

TGF2023-01

6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

TriQuint

TriQuint Semiconductor

TGF2023-01_15

6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

TriQuint

TriQuint Semiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TGF2023-01

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 1.25mm GaN Discrete

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

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更多TGF2023-01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-25 17:21:00

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