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TGF2023-10

50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

TriQuint

TriQuint Semiconductor

TGF2023-10

50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

TriQuint

TriQuint Semiconductor

TGF2023-10_15

50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

TriQuint

TriQuint Semiconductor

RO2023-10

433.97MHSAWResonator

rfm

RF Monolithics, Inc

詳細參數

  • 型號:

    TGF2023-10

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 10mm GaN Discrete

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數:

    正向跨導

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TGF2023-10供應商 更新時間2025-4-25 16:04:00