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CXK58512M

65536-wordX8-bitHighSpeedCMOSStaticRAM

Description TheCXK58512TM/MisahighspeedCMOSstaticRAMorganizedas65536-wordsby8bits. ApolysiliconTFTcelltechnologyrealizedextremelylowstand-bycurrentandhigherdataretentionstability. Specialfeaturearelowpowerconsumption,highspeed. TheCXK58512TM/Misasuitable

SonySONY

索尼索 尼

CXK58512TM

65536-wordX8-bitHighSpeedCMOSStaticRAM

Description TheCXK58512TM/MisahighspeedCMOSstaticRAMorganizedas65536-wordsby8bits. ApolysiliconTFTcelltechnologyrealizedextremelylowstand-bycurrentandhigherdataretentionstability. Specialfeaturearelowpowerconsumption,highspeed. TheCXK58512TM/Misasuitable

SonySONY

索尼索 尼

TC58512FT

TENTATIVETOSHIBAMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONGATECMOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TC58512BFT供應商 更新時間2024-11-19 14:46:00

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