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FQD19N10L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=15.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQD19N10L

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

FQD19N10L

N-ChannelQFETMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD19N10LTF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQD19N10LTM

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQD19N10LTM

100VN-ChannelMOSFET

Features LowGateCharge(Typ.14nC) LowCrss(Typ.35pF) VDS(V)=100V ID=15.6A(VGS=10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

FQD19N10LTM

N-ChannelQFET?MOSFET100V,15.6A,100m廓

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD19N10TF

D-PAKTapeandReelDataD-PAKPackagingConfiguration:Figure1.0

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD19N10TM

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQI19N10

100VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SWD19N10

  • 制造商：

    SEMIPOWER

  • 制造商全稱(chēng)：

    SEMIPOWER

  • 功能描述：

    N-channel MOSFET

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
SAMWIN
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢(xún)價(jià)
SAMWIN
2022+
TO-252
5000
原廠(chǎng)代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢(xún)價(jià)
VBsemi
21+
TO252
10026
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)
SAMWIN
2022+
TO-252
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)原裝 假一罰十
 詢(xún)價(jià)
SAMWIN
23+
TO-252
20000
原裝正品 歡迎咨詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
VBsemi
24+
TO252
6120
詢(xún)價(jià)
SAMWIN
2022+
TO-252
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢(xún)價(jià)
SAMWIN
20+
TO-252
300000
現(xiàn)貨很近!原廠(chǎng)很遠(yuǎn)!只做原裝
 詢(xún)價(jià)
VBsemi
24+
TO252
11000
假一賠百原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)實(shí)單可談
 詢(xún)價(jià)
SAMWIN
24+
TO-252
60000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
更多SWD19N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-14 11:00:00

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