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STW9N150

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STW9N150

Marking：9N150；Package：TO-247；N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH? Power MOSFET

Features ■100%avalanchetested ■Avalancheruggedness ■Gatechargeminimized ■Verylowintrinsiccapacitances ■Highspeedswitching ■Verylowon-resistance Application ■Switchingapplications Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESH OVERLAY?process,STMi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STW9N150

N-channel 1500V - 2.2廓 - 8A - TO-247 Very high voltage PowerMESH??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

9N150

N-channel1500V-1.8?-8A-TO-247veryhighvoltagePowerMESH?PowerMOSFET

Features ■100%avalanchetested ■Avalancheruggedness ■Gatechargeminimized ■Verylowintrinsiccapacitances ■Highspeedswitching ■Verylowon-resistance Application ■Switchingapplications Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESH OVERLAY?process,STMi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

9N150

9.0A,1500VN-CHANNELPOWERMOSFET

?DESCRIPTION TheUTC9N150provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge andoperationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor useasaloadswitchorinPWMapplications. ?FEATURES0 *RDS(ON)≤2.1Ω@VGS=10V,ID=4.5A *LowReverseTransferCapacitance *FastSwitchingCapab

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MP9N150-GE-B

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical10pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

MP9N150-GE-BR

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical10pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

W9N150V

N-channel1500V-2.2廓-8A-TO-247VeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STW9N150

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
原廠
23+
N/A
10000
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
STM
15+
原廠原裝
16800
進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
ST
2021+
TO-247
9450
原裝現(xiàn)貨。
 詢價
ST
23+
NA
8800
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
STM
22+
600
TO-247-3
 詢價
ST(意法半導體)
24+
TO-247
10000
只做原裝現(xiàn)貨 假一賠萬
 詢價
ST
23+
TO-3P
120
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
ST
2019
TO-247
19700
INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質(zhì)
 詢價
ST/意法
24+
TO-247-3
3
原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
更多STW9N150供應商 更新時間2025-4-14 10:02:00

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