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STW9N150中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STW9N150
廠商型號

STW9N150

功能描述

N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH? Power MOSFET

絲印標識

9N150

封裝外殼

TO-247

文件大小

258.99 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-11 20:07:00

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STW9N150規(guī)格書詳情

Features

■ 100% avalanche tested

■ Avalanche ruggedness

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitances

■ High speed switching

■ Very low on-resistance

Application

■ Switching applications

Description

Using the well consolidated high voltage MESH

OVERLAY? process, STMicroelectronics has

designed an advanced family of Power MOSFETs

with outstanding performances. The strengthened

layout coupled with the company’s proprietary

edge termination structure, gives the lowest

RDS(on) per area, unrivalled gate charge and

switching characteristics.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STW9N150

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
18+19+
TO247
4000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ST
2019
TO-247
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