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STP50

包裝：散裝 類別：電纜組件 模塊化電纜 描述：CABLE MOD 8P8C PLUG TO PL 50.84'

Banner Engineering Corporation

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STP50N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.022? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP50N06FI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.022? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP50N06L

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.024? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPL

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意法半導體意法半導體集團

STP50N06LFI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.024? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPL

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STP50N65DM6

N-channel 650 V, 74 m typ., 33 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Features ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM

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STP50NE08

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize?”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

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STP50NE10

N-channel 100V - 0.021??- 50A TO-220 STripFET??Power MOSFET

Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize?strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP50NE10L

N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize?”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearema

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STP50NF25

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=69mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    STP50

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    500V

  • 最大電流允許值：

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

  • 可代換的型號：

    3DK306C,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    500

  • htest：

    999900

  • atest：

    0

  • wtest：

    40

產品屬性

  • 產品編號：

    STP50

  • 制造商：

    Banner Engineering Corporation

  • 類別：

    電纜組件 > 模塊化電纜

  • 系列：

    STP

  • 包裝：

    散裝

  • 電纜類型：

    圓形線纜

  • 連接器類型：

    插頭至插頭

  • 安裝類型：

    自由懸掛

  • 針位/觸頭數：

    8p8c（RJ45，以太網）

  • 長度：

    50.84'（15.50m）

  • 屏蔽：

    屏蔽

  • 顏色：

    黑色

  • 特性：

    模制插頭

  • 描述：

    CABLE MOD 8P8C PLUG TO PL 50.84'

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/進口原
17+
TO-220
6200
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