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STP50N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.022? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP50N06FI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.022? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP50N06L

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.024? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPL

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP50N06LFI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.024? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPL

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP50N06LFI

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SUD50N06

N-Channel60-V(D-S)175CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SVD50N06MJ

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SVD50N06T

50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

SVD50N06T

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

SVD50N06T

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STP50N06

  • 功能描述：

    MOSFET TO-220AB N-CH 60V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
24+
N/A
2200
詢價
ST/進口原
17+
TO-220
6200
詢價
ST
TO-220
1000
原裝長期供貨!
 詢價
ST
24+
TO-220
2500
原裝現(xiàn)貨熱賣
 詢價
ST
2016+
TO-220
6523
只做進口原裝現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
ST
2016+
TO-220
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
ST
16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
ST
23+
TO-220
8795
詢價
ST
24+
TO-220
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
ST
2020+
TO-220
350000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
更多STP50N06供應商 更新時間2025-3-21 16:00:00

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