訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
STL11N60M2-EP
- 產(chǎn)品分類:
芯片
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫(kù)存數(shù)量:
25000
- 產(chǎn)品封裝:
TDSON-8
- 生產(chǎn)批號(hào):
23+
- 庫(kù)存類型:
- 更新時(shí)間:
2024-11-7 14:04:00
首頁(yè)>STL11N60M2-EP>芯片詳情
訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
芯片
25000
TDSON-8
23+
2024-11-7 14:04:00
原廠料號(hào):STL11N60M2-EP品牌:ST
原廠/代理渠道 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
STL11N60M2-EP是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TDSON-8/8-PowerVDFN的STL11N60M2-EP晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
描述
STL11N60M2-EP
STMicroelectronics
MDmesh? M2-EP
卷帶(TR)
N 通道
MOSFET(金屬氧化物)
5.5A(Tc)
150°C(TJ)
表面貼裝型
PowerFlat?(5x6)HV
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
深圳市吉中創(chuàng)電子科技有限公司
夏先生
13670186509
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深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)305棟5樓A11