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STI22NM60N中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STI22NM60N
廠商型號

STI22NM60N

功能描述

N-channel 600 V, 0.2 廓, 16 A MDmesh??II Power MOSFET

文件大小

994.47 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-9 20:00:00

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STI22NM60N規(guī)格書詳情

Description

These devices are made using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STI22NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 16A I2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    Mdmesh™ II

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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