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STGWA50M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low loss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

STGWA50M65DF2

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWA50M65DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    M

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    880μJ（開），1.57mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    42ns/130ns

  • 測試條件：

    400V，50A，6.8 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 長引線

  • 描述：

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGWA50M65DF2供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 17:43:00

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