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STGW30NB60H中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STGW30NB60H
廠商型號

STGW30NB60H

功能描述

N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT

文件大小

86.86 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 19:02:00

STGW30NB60H規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”H” identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequency applications (

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (VCESAT)

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ VERY HIGH FREQUENCY OPERATION

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

APPLICATIONS

■ HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS

■ WELDING EQUIPMENTS

■ SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STGW30NB60H

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
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