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STGW25H120F2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGW25H120F2 |
| 參數(shù)屬性 | STGW25H120F2 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed |
| 文件大小 |
957.14 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
17 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-19 22:59:00 |
STGW25H120F2規(guī)格書(shū)詳情
Description
These devices are IGBTs developed using an
advanced proprietary trench gate field-stop
structure. These devices are part of the H series
of IGBTs, which represent an optimum
compromise between conduction and switching
losses to maximize the efficiency of high
switching frequency converters. Moreover, a
slightly positive VCE(sat) temperature coefficient
and very tight parameter distribution result in
safer paralleling operation.
Features
? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
? High speed switching series
? Minimized tail current
? VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A
? 5 μs minimum short circuit withstand time at
TJ=150 °C
? Tight parameters distribution
? Safe paralleling
? Low thermal resistance
Applications
? Uninterruptible power supply
? Welding machines
? Photovoltaic inverters
? Power factor correction
? High frequency converters
STGW25H120F2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW25H120F2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGW25H120F2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類(lèi)型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，25A
- 開(kāi)關(guān)能量：
600μJ（開(kāi)），700μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
29ns/130ns
- 測(cè)試條件：
600V，25A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3262 |
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
1948+ |
TO-247 |
18562 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-247-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-247-3 |
12700 |
買(mǎi)原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
TO-247-3 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗(yàn)、終端BOM表可配單提供 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
2022 |
TO-247 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
2405+ |
原廠封裝 |
50000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83268913鄒小姐 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST原裝 |
22+23+ |
TO-247 |
24247 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) |
