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STGW30N120KD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGW30N120KD參考圖片

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原廠料號：STGW30N120KD品牌：ST(意法)

正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持

STGW30N120KD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST(意法)/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝NA/TO-247-3的STGW30N120KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGW30N120KD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大小：

    423.46 kb

  • 資料說明：

    30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW30N120KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.85V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    2.4mJ（開），4.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    36ns/251ns

  • 測試條件：

    960V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 60A 220W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī)：

    15986777949

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318

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