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首頁(yè)>STGP20M65DF2>芯片詳情
STGP20M65DF2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGP20M65DF2品牌:ST
全新原裝現(xiàn)貨 假一賠十
STGP20M65DF2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的STGP20M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGP20M65DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類(lèi)別:
- 系列:
M
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,20A
- 開(kāi)關(guān)能量:
140μJ(開(kāi)),560μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
26ns/108ns
- 測(cè)試條件:
400V,20A,12 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
IGBT TRENCH 650V 40A TO220
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市鵬錦翔科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張經(jīng)理
- 詢(xún)價(jià):
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新欣大廈B座320
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