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STGP19NC60SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP19NC60SD
廠商型號

STGP19NC60SD
參數(shù)屬性

STGP19NC60SD 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 40A 130W TO220
功能描述

20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode
IGBT 600V 40A 130W TO220
絲印標(biāo)識

GP19NC60SD
封裝外殼

TO-220 / TO-220-3
文件大小

535.58 Kbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-31 17:10:00

STGP19NC60SD規(guī)格書詳情

STGP19NC60SD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGP19NC60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGP19NC60SD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    135μJ（開），815μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    17.5ns/175ns

  • 測試條件：

    480V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 130W TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-220-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
TO-220-3
36900
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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22+23+
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26673
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-220-3
8860
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ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-220-3
12820
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ST
22+
TO220
16900
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ST/意法半導(dǎo)體
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