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STGP15H60DF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP15H60DF
廠商型號

STGP15H60DF
參數(shù)屬性

STGP15H60DF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 30A 115W TO220
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
IGBT 600V 30A 115W TO220
絲印標識

GP15H60DF
封裝外殼

TO-220 / TO-220-3
文件大小

1.86596 Mbytes
頁面數(shù)量

23 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-18 23:00:00

STGP15H60DF規(guī)格書詳情

STGP15H60DF屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGP15H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

This device is an IGBT developed using an

advanced proprietary trench gate and field stop

structure. This IGBT series offers the optimum

compromise between conduction and switching

losses, maximizing the efficiency of very high

frequency converters. Furthermore, a positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in easier paralleling

operation.

Features

? High speed switching

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Short-circuit rated

? Ultrafast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Motor control

? UPS, PFC

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGP15H60DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    136μJ（開），207μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    24.5ns/118ns

  • 測試條件：

    400V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 115W TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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