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STGDL6NC60DT4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：STGDL6NC60DT4品牌：STMicroelectronics

資料說(shuō)明：IGBT 600V 13A 50W DPAK

STGDL6NC60DT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGDL6NC60DT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    stgdl6nc60dt4

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 13A 50W DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGDL6NC60DT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，3A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    46.5μJ（開(kāi)），23.5μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    6.7ns/46ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，3A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 13A 50W DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
STMicroelectronics
23+
SOT263
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價(jià)
ST
24+
TO-252
7500
詢價(jià)
STMicro.
23+
DPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
STM
1809+
TO-252
3675
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 詢價(jià)
ST/意法
23+
DPAK
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
22+
NA
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ST
22+
DPak
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ST/意法
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STMicroelectronics
2022+
DPAK
38550
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