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STGD6NC60H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD6NC60H
廠商型號

STGD6NC60H
參數(shù)屬性

STGD6NC60H 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 15A 56W DPAK
功能描述

N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 15A 56W DPAK
文件大小

454.86 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體（ST）集團官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-11-8 23:00:00

STGD6NC60H規(guī)格書詳情

STGD6NC60H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導(dǎo)體（ST）集團制造生產(chǎn)的STGD6NC60H晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGD6NC60HDT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    20μJ（開），68μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    12ns/76ns

  • 測試條件：

    390V，3A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 15A 56W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
21+
SOT23
10000
詢價
ST
2020+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
ST
20+
DPAK-3
69052
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
ST
1926+
DPAK
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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ST(意法)
10000
原裝正品長期供貨，如假包賠包換 徐小姐13714450367
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
Si
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ST/意法
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TO252
80000
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ST
TO252DPAK
36900
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ST/意法
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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