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STGD3NB60SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
STGD3NB60SD |
| 參數(shù)屬性 | STGD3NB60SD 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
322.75 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-12 19:25:00 |
| 人工找貨 | STGD3NB60SD價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGD3NB60SD規(guī)格書詳情
STGD3NB60SD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGD3NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized to achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (<1kHz).
■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE
DRIVEN)
■ VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ INTEGRATED WHEELING DIODE
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
APPLICATIONS
■ MOTOR CONTROL
■ GAS DISCHARGE LAMP
■ STATIC RELAYS
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGD3NB60SDT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，3A
- 開關(guān)能量：
1.15mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
125μs/-
- 測試條件：
480V，3A，1 千歐，15V
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 6A 48W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
15+ |
TO252 |
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