STGD3NC120H 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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原廠料號:STGD3NC120H品牌:ST/意法

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STGD3NC120H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-251/TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA的STGD3NC120H晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    STGD3NC120H

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    899.15 kb

  • 資料說明:

    7 A, 1200 V very fast IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGD3NC120H-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    236μJ(開),290μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    15ns/118ns

  • 測試條件:

    800V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    IPAK(TO-251)

  • 描述:

    IGBT 1200V 16A IPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    貿(mào)澤芯城(深圳)電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī):

    18923718265

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-82721010

  • 傳真:

    0755-28225816

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商