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STGAP2SICSCTR

Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

Features ?Highvoltagerailupto1200V ?Drivercurrentcapability:4Asink/source@25°C ?dV/dttransientimmunity±100V/nsinfulltemperaturerange ?Overallinput-outputpropagationdelay:75ns ?Separatesinkandsourceoptionforeasygatedrivingconfiguration ?4AMillerCLAMP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

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更多STGAP2SICSCTR供應商 更新時間2025-1-5 10:00:00

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