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STF21NM60N	文件：318.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF21NM60N	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Low input capacitance and gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60ND	文件：303.34 Kbytes Page：3 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STI21NM60N	文件：281.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STI21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STI21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STI21NM60ND	文件：545.74 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247 Description TheFDmesh?IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybodyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.17廓-17ATO-220-TO-220FP-D2PAK-I2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP21NM60N	文件：372.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STP21NM60N	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL600V-0.19Ohm-17ATO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247SECONDGENERATIONMDmeshMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP21NM60ND	文件：291.11 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STP21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP21NM60ND	文件：545.74 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247 Description TheFDmesh?IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybodyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STW21NM60N	文件：351.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STW21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.17廓-17ATO-220-TO-220FP-D2PAK-I2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STW21NM60N	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL600V-0.19Ohm-17ATO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247SECONDGENERATIONMDmeshMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
STF21NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市賽爾通科技有限公司	STF21NM60N	ST	23+	TO-220F	65400		詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	STF21NM60N	ST/意法	21+	TO-220F	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市昂芯微科技有限公司	STF21NM60N	ST	23+	TO220F	6996	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	STF21NM60N	ST/意法	24+	TO-220F	421	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	STF21NM60N	ST/意法	2021+	TO-220F	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市潤聯(lián)芯城科技有限公司	STF21NM60N	ST/意法	08+	TO-220F	185	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	STF21NM60N	ST/意法	21+	TO-220-3	60000	絕對原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	STF21NM60N	ST	23+	TO263	8820	全新原裝優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	STF21NM60N	ST	17+	TO-220F	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	STF21NM60N	ST	24+	TO-220F	3000	全新原裝環(huán)?，F(xiàn)貨	詢價(jià)

更多STF21NM60N供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:16:00

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