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STB26NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB26NM60ND
廠商型號

STB26NM60ND

功能描述

Low input capacitance and gate charge

文件大小

1.35849 Mbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-28 8:02:00

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STB26NM60ND規(guī)格書詳情

Description

These FDmesh? II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

? 100 avalanche tested

? Low input capacitance and gate charge

? Low gate input resistance

? Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB26NM60ND

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Tape and Reel

  • 功能描述:

    N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Cut TR(SOS)

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

  • 功能描述:

    600V, 0.144OHM, 21A, POWERFET W/ FAST DIODE, N-CHANNEL, D2PAK

  • 功能描述:

    Single N-Channel 600 V 0.175 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
STMicroelectronics
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