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STB26NM60N中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB26NM60N
廠商型號

STB26NM60N

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

314.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-8 20:21:00

STB26NM60N規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Drain-Source On-Resistance

FEATURES

? Drain Current –ID=20A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ (Max)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Switching application

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB26NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
13301
D2PAK
8
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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DPAK
22+
16
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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23+
NA/
32500
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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ST
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D2PAK
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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ST/意法半導體
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TO-263-3
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