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STB13N60M2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB13N60M2
廠商型號(hào)

STB13N60M2

功能描述

Extremely low gate charge

文件大小

1.10829 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

23 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 20:46:00

STB13N60M2規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh? M2 technology.

Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features

? Extremely low gate charge

? Excellent output capacitance (COSS) profile

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB13N60M2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    POWER MOSFET - Tape and Reel

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

  • 功能描述:

    STB13N60M2 Series N-Channel 650 V 0.38 Ohm MDmesh II Plus Power Mosfet - D2PAK

  • 功能描述:

    N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh II Plus(TM) low Qg Power MOSFET in D2PAK package

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
24+
TO-263-3
65300
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
詢價(jià)
ST/意法
23+
NA/
3350
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO263
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO263
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST
23+
TO-263
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-263-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
ST
TO-263
949973
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ST原裝
22+23+
TO-263
23948
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-263-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-263-3
12820
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詢價(jià)