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SSRF04N65SL

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSRF04N65SL

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SSRF04N65SL

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SSRF04N65SL_15

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

04N65

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AM04N65

MOSFET650V,4AN-CHANNEL

FEATURE ?RDS(ON),typ.=2.1Ω@VGS=10V ?HighCurrentRating ?LowerCapacitance ?LowerTotalGateChargeMinimizeSwitchingLoss ?FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N65isavailableinTO220FPackage. APPLICATION ?Adaptor ?Charger ?SMPSStandbyPower

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

CEB04N65

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEB04N65A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED04N65

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED04N65A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 700V@TJmax,3.1A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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20+
TO-220F
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更多SSRF04N65SL供應(yīng)商 更新時間2025-3-29 14:01:00

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