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SSM6N57NU

Marking：NN7；Package：UDFN6；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches ?DC-DCConverters 2.Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=39.1mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=53mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=82mΩ(max)(@VGS=1.8V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N57NU

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N57NU_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches ?DC-DCConverters 2.Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=39.1mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=53mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=82mΩ(max)(@VGS=1.8V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SSM6N57NU

  • 功能描述：

    MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SSM6N57NU供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 8:00:00

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