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SSM6N57NU

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches ?DC-DCConverters 2.Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=39.1mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=53mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=82mΩ(max)(@VGS=1.8V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6N57NU

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SSM6N57NU,LF

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SSM6N57NU,LF供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 9:30:00