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SSM3J108TU

Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

HighSpeedSwitchingApplications ?1.8Vdrive ?Lowon-resistance:Ron=363m?(max)(@VGS=?1.8V) Ron=230m?(max)(@VGS=?2.5V) Ron=158m?(max)(@VGS=?4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SSM3J108TU

  • 功能描述：

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SSM3J108TU供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 15:28:00

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