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SSM3J113TU

Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

HighSpeedSwitchingApplications ?2.0Vdrive ?Lowon-resistance:Ron=449m?(max)(@VGS=?2.0V) Ron=249m?(max)(@VGS=?2.5V) Ron=169m?(max)(@VGS=?4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J113TU

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SSM3J113TU

  • 功能描述:

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA
SOT-323
10265
提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴
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更多SSM3J113TU供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 16:35:00