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11N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

11N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

ISPW11N60S5

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤380m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB11N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

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IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB11N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatecharge

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPI11N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

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英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多SPL11N60S5供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 15:31:00

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