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SPBI11N60C3	文件：193.21 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?150°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPP11N60C3	文件：352.75 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPW11N60C3	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤380m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPW11N60C3	文件：796.06 Kbytes Page：13 Pages	COOLMOSPOWERTRANSISTOR	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60C3	文件：255.01 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細參數(shù)

型號：
SPBI11N60C3
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Cool MOS Power Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市吉中創(chuàng)電子科技有限公司	SPBI11N60C3	INFINEON/英飛凌	23+	P-TO263-3-2	6562	只做原裝歡迎咨詢	詢價
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更多SPBI11N60C3供應(yīng)商更新時間2024-11-16 9:00:00

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