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SPD10N10

SIPMOSPowerTransistor

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI10N10

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI10N10L

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP10N10

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP10N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP10N10L

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP10N10L

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPU10N10

SIPMOSPowerTransistor

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SSFP10N10

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

SSG10N10

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSG10N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses ?100RgTested ?100AvalancheTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SSG10N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SSPR10N10-C

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

STUD10N10

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

TSJ10N10AT

100VN-ChannelDTMOS

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

UTT10N10

10A,100VN-CHANNELMOSFET

■DESCRIPTION TheUTCUTT10N10isaN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithaminimumon-stateresistance,highswitchingspeedandultralowgatecharge.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

WSP10N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

WSP10N10

PowerManagementinDC/DCConverter.

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SPB10N10L G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 10.3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
24+
TO-263
7500
詢價
Infineon
23+
TO-263
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
INF
23+
SOT404
7000
原裝正品,假一罰十
 詢價
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
Infineo
21+
TO-263
12588
原裝現(xiàn)貨價格優(yōu)勢
 詢價
Infineo
2020+
TO-263
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
Infineon Technologies
21+
PG-TO263-3-2
1000
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
 詢價
INFINEON
2023+
D2PAK(TO
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
INFINEON/英飛凌
21+
TO-263
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
21+
TO-263
12000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
更多SPB10N10L G供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 15:30:00

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