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KTC4377

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Lowvoltage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

KTC4377

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighDCCurrentGainandExcellenthFELinearity :hFE(1)=140600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(Min.),140(Typ.)(VCE=1V,IC=2A). ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Max).(IC=2A,IB=50mA). ●Smallflatpackage. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication. ●Powerswitc

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

KTC4377

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

KTC4377

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ?Lowvoltage

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

KTC4377

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTC4377

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Features: *Lowsaturationvoltage,VCE(sat)≤0.5V@2A/50mA *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.

WEITRON

Weitron Technology

KTC4377

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(STROBOFLASH,HIGHCURRENT)

STROBOFLASHAPPLICATION. HIGHCURRENTAPLICATION. FEATURES ?HighDCCurrentGainandExcellenthFELinearity :hFE(1)=140~600(VCE=1V,IC=0.5A) :hFE(2)=70(Min.),200(Typ.)(VCE=1V,IC=2A). ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.5V(Max.)(IC=2A,IB=50mA). ?SmallFlatPackage

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTC4377

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Lowvoltage

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

MAX4377

Single/Dual/Quad,High-SideCurrent-SenseAmplifierswithInternalGain

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX4377

Single/Dual/Quad,High-SideCurrent-SenseAmplifierswithInternalGain

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

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更多SM4377供應(yīng)商 更新時間2025-3-25 15:00:00

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