首頁 >SKB02N60>規(guī)格書列表

零件編號下載&訂購功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

SKB02N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB02N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB02N60_07

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB02N60ATMA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB02N60E3266ATMA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKP02N60

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N60

SIPMOPowerTransistor

SIPMOS?PowerTransistor ?N-Channel ?Enhancementmode ?Avalancherated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

SPU02N60

SIPMOPowerTransistor

SIPMOS?PowerTransistor ?N-Channel ?Enhancementmode ?Avalancherated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

SPU02N60

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapp

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SSD02N60J

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSD02N60SL

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSD02N60SL

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SSM02N60P

NCHANNELENHANCEMENTMODE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

SSQF02N60J

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

UI02N60

N-Ch600VFastSwitchingMOSFETs

UNITPOWER

Unitpower Technology Limited

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SKB02N60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-263
16904
原裝進口假一罰十
 詢價
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
INFINEON
24+
P-TO263-3-2
8866
詢價
Infineon
23+
SMD
27119
全新原裝現(xiàn)貨,專業(yè)代理熱賣
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINEON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
INFINEON
1822+
TO-220
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
 詢價
INFINEON
18+
TO-220
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
INFINEON
2023+
TO-220
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
更多SKB02N60供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 17:11:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多