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SIZ998BDT	文件：279.49 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET With Schottky Diode FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?SkyFET?lowsideMOSFETwithintegrated Schottky ?VerylowRDSxQgFOMimprovesefficiency ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?CPUcorepower ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
AS998	文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages	ICintendedforuseasaPWMcontroller	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商	ETC1
BF998	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BF998	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BF998	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF998	文件：180.2 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BF998	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode ?Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ?Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BF998	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BF998	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF998A	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BF998A	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BF998B	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BF998R	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BF998R	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF998R	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Lowfeedbackcapacitance ?Highcrossmodulationperformance ?Lowinputcapacitance ?HighAGC-range ?Highgain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BF998R	文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BF998R	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode ?Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ?Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BF998R	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BF998R	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF998RA	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	23+	POWERPAIR 6*5	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	Vishay(威世)	2021/2022+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	6500	原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品	詢(xún)價(jià)
中科國(guó)際電子(深圳)有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	Vishay(威世)	22+	NA	6500	原廠原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	21+	POWERPAIR 6*5	6000	一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢(xún)價(jià)
亞泰電子科技有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3-L	VISHAY	22+	SMD	498000		詢(xún)價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	2234+	POWERPAIR 6*5	2112	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	24+	POWERPAIR	10000	一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢(xún)價(jià)
海芯未來(lái)半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	24+	POWERPAIR 6*5	2112		詢(xún)價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY		POWERPAIR	30000	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢(xún)價(jià)
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	22+	POWERPAIR	6000	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢(xún)價(jià)

更多SIZ998BDT供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 9:00:00

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