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BF998分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BF998
廠商型號

BF998

參數(shù)屬性

BF998 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

功能描述

Silicon N_Channel MOSFET Tetrode
MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

文件大小

93.08 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-26 22:58:00

BF998規(guī)格書詳情

BF998屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BF998晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BF998E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    N 通道

  • 頻率:

    45MHz

  • 增益:

    28dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    2.8dB

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT-143-3D

  • 描述:

    MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

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