首頁>SiR406DP-T1-GE3>芯片詳情

SiR406DP-T1-GE3_V1SHAY_MOSFET 25V 40A 48W 3.8mohm @ 10V中聯芯一部

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SiR406DP-T1-GE3

  • 產品分類：

    芯片

  • 生產廠商：

    V1SHAY

  • 庫存數量：

    21238

  • 產品封裝：

    PowerPAKSO-8

  • 生產批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-12-28 16:10:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SiR406DP-T1-GE3品牌：V1SHAY

原裝正品現貨庫存假一賠十歡迎詢價

  • 芯片型號：

    SiR406DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    MOSFET 25V 40A 48W 3.8mohm @ 10V

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SiR406DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 25V 40A 48W 3.8mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市中聯芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯系人：

    張先生

  • 手機：

    13714879722

  • 詢價：
  • 電話：

    13714879722/0755-82725103

  • 傳真：

    0755-82701983

  • 地址：

    深圳市 福田區(qū) 振興路 上步管理大廈 501棟402室

相近型號