首頁(yè)>SIHP12N60E-E3>芯片詳情

SIHP12N60E-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS華博特電子

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SIHP12N60E-E3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    4528

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-220-3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2023

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-28 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):SIHP12N60E-E3品牌:VISHAY

原廠代理渠道,正品保障

  • 芯片型號(hào):

    SIHP12N60E-E3

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    171.05 kb

  • 資料說(shuō)明:

    E Series Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SIHP12N60E-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市華博特電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    代理商

  • 手機(jī):

    13632684063

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    13632684063

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)振中路與中航路交匯處新亞洲國(guó)利大廈1202