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SIHG22N65E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SIHG22N65E
- 功能描述:
MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 漏極連續(xù)電流:
22 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.18 Ohms
- 配置:
Single
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
TO-247AC
- 封裝:
Bulk
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-247-3 |
11200 |
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詢價 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-247AC |
100500 |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-247 |
30000 |
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VISHAY |
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TO-247 |
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VISHAY |
23+ |
TO-247-3 |
50000 |
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IR |
2016+ |
TO-247 |
375 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-247 |
50000 |
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詢價 | ||
VISHAY |
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TO247 |
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IR |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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