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SIHG22N60S-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIHG22N60S-E3
廠商型號

SIHG22N60S-E3

功能描述

600 V Power mosfets

文件大小

624.54 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 20:57:00

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SIHG22N60S-E3規(guī)格書詳情

600 V POWER MOSFETs

Vishay is adding to its Super Junction power MOSFET family with new n-channel devices in the TO-247 package, featuring ultra-low maximum on-resistance and low gate charge for an improved figure of merit (FOM).

Features:

? High Ear capability

? Improved Ron x Qg figure of merit (FOM)

??? – 18.81 Ω-nC (SiHG22N60S-E3)

??????? - SiHP22N60S-E3, SiHF22N60S-E3, and SiHB22N60S-E3 also available

??? – 15.12 Ω-nC (SiHG47N60S-E3)

? Ultra-low R

DS(on)

? Ultra-low gate charge (Qg)

? 100 avalanche tested

? dV/dt ruggedness

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Applications

? PFC power supply stages

? Hard switching topologies

? Solar inverters

? UPS

? Motor control

? Lighting

? Server telecom

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIHG22N60S-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-247

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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