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SIHF12N50C	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF12N50C	文件：1.038089 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SIHF12N50C-E3	文件：153.36 Kbytes Page：8 Pages	100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF12N50C-E3	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF12N50C_V01	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF12N50C-E3	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50C	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50C	文件：328.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHP12N50C	文件：153.36 Kbytes Page：8 Pages	100AvalancheTestedComplianttoRoHSDirective2002/95/EC FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50E	文件：159.17 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ??pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Compu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP12N50E	文件：328.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF12N50U	文件：571.58 Kbytes Page：12 Pages	N-channel500V,0.55Ω,10ATO-220FPUltrafastMESH?PowerMOSFET Features ■100avalanchetested ■Outstandingdv/dtcapability ■Gatechargeminimized ■Verylowintrinsiccapacitance ■VerylowRDS(on) ■Extremelylowtrr Application ■Switchingapplications –HighvoltageinvertersspecificforLCDTV –Lightingfullbridgetopology –Motorcont	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
T12N50	文件：1.03491 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
TF12N50	文件：1.02451 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
TMA12N50H	文件：670.09 Kbytes Page：5 Pages	500VN-ChannelMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司	WUMC
ZXT12N50DX	文件：267.5 Kbytes Page：6 Pages	DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES ?ExtremelyLowEquival	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXT12N50DX	文件：258.81 Kbytes Page：6 Pages	DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTIONThisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES ?ExtremelyLowEquivale	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXT12N50DXTA	文件：267.5 Kbytes Page：6 Pages	DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES ?ExtremelyLowEquival	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SIHF12N50C
功能描述：
MOSFET N-Channel 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華斯頓科技有限公司	SIHF12N50C	vishay原裝	22+23+	TO-220F	22495	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	SIHF12N50C	vishay原裝	24+	TO-220F	9860	一級(jí)代理	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	SiHF12N50C	Vishay	20+	TO-220	36900	原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	SIHF12N50C	VISHAY	2020+	TO-220F	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	SiHF12N50C	VISHAY/威世	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SIHF12N50C	VISHAY	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SiHF12N50C	VISHAY/威世	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SiHF12N50C	VB	21+	T0-263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	SiHF12N50C	VISHAY/威世	2022+	TO-220F	32500	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)

更多SIHF12N50C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 16:50:00

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