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SIHF12N50C-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIHF12N50C-E3
廠商型號

SIHF12N50C-E3
功能描述

100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
文件大小

153.36 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-11-17 9:30:00

SIHF12N50C-E3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Figure-of-Merit Ron x Qg

? 100 Avalanche Tested

? Gate Charge Improved

? Trr/Qrr Improved

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SIHF12N50C-E3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 500V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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