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SIHD2N80AE	文件：201.71 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHD2N80AE-GE3	文件：201.71 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHD2N80E	文件：181.65 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHU2N80AE	文件：187.85 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHU2N80E	文件：191.24 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SSFP2N80	文件：201.57 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSI2N80A	文件：348.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSI2N80A	文件：264.76 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):4.688Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP2N80A	文件：348.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSS2N80A	文件：271.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSS2N80A	文件：2.12113 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSU2N80A	文件：346.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSU2N80A	文件：258.93 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSW/I2N80A	文件：264.76 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):4.688Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSW2N80A	文件：348.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSW2N80A	文件：264.76 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):4.688Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSWI2N80A	文件：264.76 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):4.688Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
STK2N80	文件：184 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=5? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP2N80	文件：202.62 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=5? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP2N80FI	文件：202.62 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=5? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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更多SIHD2N80AE供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-9 8:26:00

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