2020久久香蕉国产线看观看,欧美日韩自拍精品

首頁 >SIHD11N80AE>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SIHD11N80AE	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHD11N80AE-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHD11N80AE-T4-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
11N80	文件：165.26 Kbytes Page：4 Pages	11A,812VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
HFP11N80Z	文件：266.71 Kbytes Page：10 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IXFH11N80	文件：372.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFH11N80	文件：95.68 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM11N80	文件：317.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFM11N80	文件：95.68 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH11N80	文件：98.75 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH11N80	文件：372.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTM11N80	文件：302.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTM11N80	文件：98.75 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SFF11N80	文件：147.38 Kbytes Page：3 Pages	11AMP/800Volts0.95廓N-ChannelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF11N80B	文件：202.54 Kbytes Page：2 Pages	11AMP/800Volts0.95ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF11N80N	文件：222.49 Kbytes Page：2 Pages	11AMP/800Volts0.95ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF11N80P	文件：222.49 Kbytes Page：2 Pages	11AMP/800Volts0.95ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIHA11N80AE	文件：161.66 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHA11N80E	文件：149.77 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

12 >>>

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIHD11N80AE-GE3	VISHAY(威世)	23+	TO252	7350	現貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!!	詢價
深圳寶隆芯業(yè)科技有限公司	SIHD11N80AE-GE3	Vishay Siliconix	23+	SMD	67000	原裝正品實單可談庫存現貨	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	SOT252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	2022+	TO-252	30000	進口原裝現貨供應,原裝假一罰十	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	23+	SOT252	8000	只做原裝現貨	詢價
天津市博通航睿技術有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	23+	SOT252	7000		詢價
艾睿國際（香港）有限公司	SIHD12N50E-GE3	VISHAY(威世)	2112+	TO-252-2(DPAK)	115000	3000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現貨,	詢價
深圳市科雨電子有限公司	SIHD12N50E-GE3	VISHAY	1809+	TO-252	3675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SiHD12N50E-GE3	VISHAY/威世	23+	TO-252	11200	原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	SIHD12N50E-GE3	Vishay Siliconix	2022+	TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價

更多SIHD11N80AE供應商更新時間2024-11-9 10:29:00

相關規(guī)格書

相關庫存