亚拍精品一区二区三区探花,一边摸一边做爽的视频17国产,亚洲av香蕉一区二区三区

首頁(yè) >SIHD11N80AE>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
SIHD11N80AE	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHD11N80AE-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHD11N80AE-T4-GE3	文件：199.15 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?IntegratedZenerdiodeESDprotection ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
11N80	文件：165.26 Kbytes Page：4 Pages	11A,812VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
HFP11N80Z	文件：266.71 Kbytes Page：10 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IXFH11N80	文件：372.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH11N80	文件：95.68 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM11N80	文件：317.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM11N80	文件：95.68 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH11N80	文件：98.75 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH11N80	文件：372.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTM11N80	文件：302.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTM11N80	文件：98.75 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SFF11N80	文件：147.38 Kbytes Page：3 Pages	11AMP/800Volts0.95廓N-ChannelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF11N80B	文件：202.54 Kbytes Page：2 Pages	11AMP/800Volts0.95ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF11N80N	文件：222.49 Kbytes Page：2 Pages	11AMP/800Volts0.95ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF11N80P	文件：222.49 Kbytes Page：2 Pages	11AMP/800Volts0.95ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIHA11N80AE	文件：161.66 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA11N80E	文件：149.77 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

12 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	SiHD11N80AE	VISHAY/威世	23+	TO-252	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIHD11N80AE-GE3	VISHAY(威世)	23+	TO252	7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	SOT252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	2022+	TO-252	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	23+	SOT252	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	SIHD12N50E	VISHAY/威世	23+	SOT252	7000		詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	SIHD12N50E-GE3	VISHAY(威世)	2112+	TO-252-2(DPAK)	115000	3000個(gè)/圓盤(pán)一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	SIHD12N50E-GE3	VISHAY	1809+	TO-252	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SiHD12N50E-GE3	VISHAY/威世	23+	TO-252	11200	原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	SIHD12N50E-GE3	Vishay Siliconix	2022+	TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)	詢價(jià)

更多SIHD11N80AE供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 10:34:00

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存