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SIHB30N60E-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS宏捷佳二部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SIHB30N60E-GE3
- 功能描述:
MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機:
13530520535
- 詢價:
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
相近型號
- SIHB33N60EF-GE3
- SIHB28N60EF-T5-GE3
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- SIHB33N60E-GE3
- SIHB28N60EFGE3
- SIHB33N60ET10GE3
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- SIHB33N60ET1-GE3
- SIHB25N50E-GE3
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- SIHB33N60ET5-GE3
- SIHB24N80AE-GE3
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- SIHB24N65ET5-GE3
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- SIHB24N65EF-GE3
- SIHB6N65E
- SIHB24N65EFGE3
- SIHB6N65EGE3
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- SIHB6N65E-GE3
- SIHB24N65E-E3
- SIHB6N80E-GE3
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- SIHB8N50D
- SIHB24N65E-13
- SIHB8N50DGE3
- SIHB24N65E
- SIHB8N50D-GE3
- SIHB23N60E-GE3
- SIHC050506-R10M-R20
- SIHB23N60EGE3
- SIHC060606-R23M-R23
- SIHB23N60E
- SIHC0805-R06K-R17-LE
- SIHB22N65E-GE3
- SIHC100875-R15K-R29
- SIHB22N65EGE3
- SIHC100875-R22K-R29
- SIHB22N65E
- SIHC100875-R23K-R29